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科技重大突破!美光量產新款NAND快閃記憶體

外國傳媒報導,美光科技周二(10日)宣布全球首款176層3D NAND快閃記憶體已正式出貨,實現前所未有、領先業界的儲存容量和效能。美光新推出的176層技術及先進架構為一重大突破,可大幅提高資料中心、智能邊緣運算,以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能。

美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer指出,美光的176層NAND為業界樹立了新標竿。此層數比最接近美光的競爭對手高出近40%。結合美光的CuA(CMOS-under-array)架構,該技術使美光得以維持在產業中的成本領先優勢。

美光執行副總裁暨業務長Sumit Sadana也表示,美光的176層NAND有助於客戶實現突破性的產品創新。公司正廣泛地將這項技術使用在所有可能採用NAND的產品線中,並為使用NAND的所有領域帶來新價值,尤其是5G、人工智慧、雲端及智能邊緣運算的成長機會。

美光176層NAND為資料中心SSD的關鍵設計標準,可以加速資料密集環境和工作負載,例如人工智慧引擎及大數據分析。對5G智慧型手機而言,強化的服務品質,使其能更快地在多個應用程式之間進行載入和轉換,創造更流暢且快速的手機使用體驗,實現真正的多工作業,並充分利用5G低延遲網絡。

美光第五代3D NAND的ONFI(Open NAND Flash Interface)匯流排,在汽車應用中,此速度將在引擎啟動後立即為車載系統提供接近即時的回應時間,有助於加強使用者體驗。

責任編輯: 楚天  來源:東網 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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