後摩爾時代無疑是換新的賽道，不是彎道超車，是變道超車，原因是替代矽的新一代材料可以繞過現有技術演進的限制。積體電路示意圖。（ShutterStock）
中共國務院副總理劉鶴5月14日主持召開一場高級別的科技工作會議（國家科技體制改革和創新體系建設領導小組會議）。會議通稿顯示，此次會議還專題討論了「面向後摩爾時代的積體電路潛在顛覆性技術」。
眾所周知，英特爾（Intel）創始人之一戈登‧摩爾（Gordon Moore）提出「摩爾定律」（Moore’s law）的著名論述，當價格不變時，晶片上可容納的電晶體數目約每隔兩年（24個月）便會增加一倍，性能也會翻一倍。而這讓IC產業一直遵循至今的摩爾定律，近年效能顯示逐漸放緩，專家估計摩爾定律終將會迎來物理極限。若按戈登‧摩爾本人的預測，摩爾定律大約會在2020年前失准。
而今業界一般認為，矽基晶片2nm幾乎是極限了，之後晶片產業會進入後摩爾時代，即摩爾定律先發優勢或不再受用，後發者彎道超車機會已現。而在部分陸媒看來，後摩爾時代無疑是換新的賽道，不是彎道超車，是變道超車，原因是替代矽的新一代材料可以繞過現有技術演進的限制。
如現在很多官媒非官媒都在扎堆報導北大碳基晶片團隊。以人民網一篇報導為例，今年1月28日專訪北大碳基電子學研究中心主任彭練矛，他表示，15年後碳晶片技術有望成為主流晶片技術。據介紹，碳基晶片的原材料是石墨烯晶圓，目前石墨烯材料的製造工藝是一種二維碳奈米管。而一段時間以來，中國自媒體的科技報導也熱炒「北大碳基晶片可以繞開荷蘭光刻機實現換道超車」之類的內容。
但另一方面的觀點則指出，不僅僅是中國，多國都在研發碳管，美國多個科研團隊也都在研究碳奈米管。其次，碳基晶片無需高端光刻機目前還沒有科學依據能給出肯定的答案。最重要的，科研要實現應用價值，一個巴掌拍不響的，也就是碳基晶片商業前景不明朗，至少在可預見的將來還看不到龐大的市場需求驅動。
碳基晶片商業前景未明，摩爾定律卻「柳暗花明」。公開報導顯示，台積電創辦人張忠謀也曾認為摩爾定律至2018年便會走到盡頭，但後來預測大轉彎的原因，除了異質整合，另一個就是導入EUV（極紫外光刻）。
事實上，晶片材料變革也並非第一次，之前最先使用的新片材料是鍺，並不是矽。矽晶圓出現後，同樣使用光刻機。因此專業人士指出，碳基晶片時代，光刻機依然繼續它的使命。
沒有晶片就沒有今天的發達的資訊時代。專業人士還表示，美國開創的矽晶片時代，時間已長達60餘年，至今仍是矽基晶片的天下，並且仍在持續，不是隨便說替代就可以替代的，更不是隨便說終結就可以終結的。
劉鶴今次會議，所謂討論了一個極為重要問題「後摩爾時代的潛在顛覆性技術」，被自家媒體解讀為可以通過新材料實現變道超車，其實也從側面透露出一個關鍵信息，即北京或已認識到現有技術不是趕超難度太大，而是沒有趕超的可能。
