韓國晶片巨頭SK海力士（SK Hynix Inc.）星期三（4月3日）宣布，將投資38.7億美元在美國印第安納州建立下一代高頻寬記憶體（HBM）生產基地，並計劃於2028年下半年開始量產。
SK海力士表示，公司將在印第安納州西拉斐特（City of West Lafayette）興建人工智慧（AI）晶片先進封裝生產基地，並與普渡大學等當地研究機構開展半導體研發合作。
據韓聯社報導，這是半導體製造商首次在美國開建AI晶片先進封裝廠。
SK海力士在當地時間星期三（4月3日）在位於西拉斐特的普渡大學與印第安納州政府、普渡大學、美國聯邦政府官員等共同舉行投資簽約儀式，並正式發布建廠計劃。
SK海力士預計從2028年下半年起量產下一代HBM等AI晶片。
值此之際，韓國與美國官員正在深入討論對華半導體設備出口問題，美國要求韓國對向中國出口半導體技術採取類似華盛頓已經實施的限制。
知情人士最近向彭博社透露，美國官員希望韓國限制製造高端邏輯和存儲晶片的設備和技術流向中國，包括比14奈米更先進的邏輯晶片以及一種超過18奈米的DRAM記憶體。這些要求與美國商務部2022年首次宣布的一系列措施一致。
美中晶片戰持續升級的背景對韓國壓力增加。例如去年5月，中國為報復封殺了美國存儲晶片製造商美光（Micron）產品之後，美國最親密的亞洲盟友之一韓國是否採取行動防止韓企回填市場缺口即引起關注。中國官媒《環球時報》還公開呼籲，韓國應「消除美國脅迫」，擴大對華半導體出口。
目前，韓企三星電子和SK海力士等大公司仍在中國營運，中國是韓國最大的貿易夥伴。
據報導，韓國政府為維護韓美關係，考慮「一定程度」予以配合出口管制，但因可能引發北京的潛在懲罰持謹慎態度。
此外，韓國作為全球主要晶片生產基地之一，其技術被泄露至中國的問題日益嚴重，來自中國競爭對手的追趕也愈發迅猛。韓國為此致力於加強與西方國家的合作，以維持自身在技術上的優勢。
韓國總統尹錫悅去年邀集產業領袖、官員、立法者，召開半導體國家戰略會議。尹錫悅當時表示，美中緊張局勢將晶片產業的競爭推向「全面戰爭」，韓國政府將攜手美國等盟邦，全力支持韓國晶片產業的發展。
SK海力士的全球HBM市占率居首，它向晶片巨頭英偉達（NVIDIA）獨家供應第四代HBM——HBM3，並從上月末開始向客戶提供第五代產品HBM3E。
韓聯社報導稱，SK海力士已向美國政府提交半導體生產補貼申請書。
根據美國政府於2022年簽署成法的《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act），將劃撥520億美元的補貼支持在美國本土的半導體產業製造與研發，以幫助美國重新獲得半導體晶片製造的領先地位。
