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性能遠超NAND MRAM離應用還有多久

隨著5G物聯網時代的來臨,存儲器領域發展越來越快,而在這一領域,韓系廠商擁有著較為明顯的優勢。

近日,據報道,三星已經成功研發出有望替代嵌入式快閃記憶體存儲器(eFlash)的嵌入式磁阻隨機訪問內存(eMRAM),容量為1Gb,測試晶元的良率已達90%。

MRAM是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性,可以兼做內存和硬碟的新型存儲介質。寫入速度可達NAND快閃記憶體的數千倍,此外,其製作工藝要求低,良品率高,可以很好的控制成本。在壽命方面,由於MRAM特殊的存儲方式,產品的壽命耐久性也遠超傳統RAM。

報道稱,三星也正在改善1Gb MRAM壽命問題,除了支持10年的存儲年限之外,在105℃也可完成1億次讀寫,在85℃下則可增加至100億次讀寫,在正常工作環境中,則有望達到1兆次讀寫。目前,以MRAM為代表的新型存儲已經發展到了關鍵階段,能否成為取代NAND快閃記憶體的下一代存儲介質除了材料和工藝的不斷完善之外,構建完善的器件技術生態系統也是十分關鍵的。相信在市場需求的引導以及各大廠商的推動下,存儲產品一定朝著性能更高,容量更大以及成本更優的方向發展。

責任編輯: 李華   來源:中關村在線 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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