來自HPCwire消息，三星電子3月24日宣布成功開發了單條容量512GB的 DDR5模組，使用了 High-K Metal Gate(HKMG)工藝，可以提供超過 DDR4記憶體一倍的性能表現，達到7200Mb/s。三星表示，新款記憶體可以用於超級計算機、人工智慧運算、數據分析等領域，保證性能釋放。
據了解，HKMG技術目前僅應用於 GDDR6顯存晶片，能夠使用新的金屬材料作為晶片中的絕緣層，減少漏電流，使得能耗降低13%。三星這項技術在 DDR5記憶體顆粒的應用，進一步確立了該品牌的領先地位。
除此之外，三星還利用了 TSV矽通孔技術，堆迭8層16Gb DRAM晶片，因此可以實現 DDR5記憶體512GB的最大容量。
三星電子記憶體部門副總裁 Young-Soo Sohn表示，「三星是目前全球唯一一家能夠使用 HKMG技術製造記憶體晶片的半導體廠商。這種工藝引入 DRAM製造，三星可以為客戶提供高性能、高能效的記憶體解決方案，助力醫學研究、金融、自動駕駛、智慧城市等應用。」
英特爾還表示，隨著目前世界上數據量的持續增長，DDR5記憶體正處於雲端運算中心、網絡中心、邊緣計算的關鍵節點。英特爾的工程師團隊與三星等企業密切合作，致力於製造高速、節能的 DDR5記憶體。英特爾即將發布的代號為「Sapphire Rapids」的 Xeon至強處理器也將兼容 DDR5記憶體。
據報導，三星正在對其 DDR5記憶體產品原型的不同變種進行實驗，並發送樣品給客戶進行檢驗。
