法意半導體STMicroelectronics在瑞士日內瓦附近的一座工廠 REUTERS- Denis Balibouse
美國總統拜登星期二8月9日預計簽署美國晶片法案，內容是為美國半導體晶片的製造和研發提供527億美元的補貼，和約240億美元的投資減抵稅額。以提高美國與中國在科技領域的競爭力。
據介紹，美國參眾兩院稍早前通過的這項《晶片與科學法案》還授權在未來10年中為美國的科學研究增添2000億美元經費，用更多的資源與中國競爭。中國則反對美國制定這項法案，稱法案反應了美國的冷戰思維。而拜登總統上個月發出推文說，「中國非常密切地關注美國晶片法案是有原因的——它試圖在製造這些晶片方面領先於我們並且不想被擊敗。」
一年多前，美國參議院就通過了該法案的第一版。該法案將向英特爾、三星電子、台積電和格羅方德等公司提供資金，讓他們在美國建造晶片工廠。這之後的一年間，美國晶片製造商一直在不耐煩地催促和等待。美國半導體行業協會（SIA）也大力推動該法案的通過，宣稱如果不採取任何行動，美國在全球半導體產業中的所占份額在2030年時將減少到10%。相比之下，中國的半導體製造產能將達到24%。
為美國軍方和其他客戶生產晶片的格羅方德（GlobalFoundries）CEO湯姆-考爾菲爾德（Tom Caulfield）曾經表示，計劃將在其位於紐約州的總部附近建造第二家工廠，但如果沒有美國政府的補貼，這個項目將需要更長的時間。英特爾公司也曾經宣布：將推遲俄亥俄州晶片工廠的奠基儀式，因為晶片法案能否通過充滿不確定性。
美國的格羅方德今年7月與意法半導體（STMicroelectronics）宣布進行合作，計劃投資40億歐元，在法國德克羅爾（Crolles）現有的一座12吋晶圓廠附近，興建一座新的、共同營運的半導體製造廠，將於2026年全面投產。新廠預計雇用1000名員工，將得到法國政府大量財務支援。
格羅方德CEO考爾菲爾德當時表示，有關該工廠的談判是在今年年初之前開始的，由於法國政府在補貼方面行動迅速，談判大約六個月後就達成了協議。他說，如果美國的補貼法案在去年第一次嘗試時就獲得通過，格羅方德能會更早地推進紐約工廠的建設，而不是將注意力轉向法國和擴建新加坡德工廠。
格羅方德與意法半導體（STMicroelectronics）的合資半導體工廠計劃在法國總統馬克龍在凡爾賽舉行的第五屆「選擇法國」峰會上被高調宣布，也被認為是歐洲提高自己在微晶片領域獨立性努力的一部分，是有助於支持歐盟委員會的一項努力，即到2030年，歐洲生產的微晶片占全球的20%。
據台灣經濟專家劉佩真介紹，在經歷近年車用晶片荒的教訓後，國際間整合元件製造IDM業者希望能持續擴充產能，取得更多主導權。IDM廠透過與晶圓代工廠合資設廠，正可應對現在整個市場趨勢變化，建立在地化供應鏈，符合當地政策發展。但由於晶圓代工龍頭廠台積電還未決定到歐洲設廠生產，意法半導體只能跟願意到歐洲投資的次要晶圓代工廠合作。
劉佩真還說，意法半導體與格羅方德合資設廠，應以成熟製程為主。意法半導體與台積電合作則在先進位程與第3代半導體，台積電的訂單並不會遭到排擠。
