一位德國數據恢復專家證實了許多Reg讀者的懷疑：USB記憶棒的可靠性越來越低。正如您可能已經猜到的那樣，原因是劣質記憶體晶片，而每個快閃記憶體單元存儲多個位的舉措也起到了一定作用。
CBL Data Recovery表示，microSD和 USB記憶棒中新型存儲組件的質量正在下降，並且報告稱，晶片上已去除 NAND製造商徽標的 USB記憶棒越來越多地出現在其數據恢復實驗室中。
它懷疑來自 SK hynix、Sandisk或 Samsung等製造商未通過質量控制檢查的快閃記憶體晶片被轉售到市場，但被標記為記憶體容量較低的組件。
CBL董事總經理康拉德·海尼克(Conrad Heinicke)寫道：「去年，當我們打開有缺陷的 USB記憶棒時，我們發現了數量驚人的劣質存儲晶片，這些晶片的容量有所減少，並且製造商的徽標也從晶片上被刪除。」
Heinicke表示，許多 USB記憶棒實際上包含安裝在電路板上並由外部控制器晶片管理的 microSD卡。他說，雖然像這樣的隨身碟主要是促銷禮品，但其中也有品牌產品，並補充說：「你不應該過分依賴快閃記憶體的可靠性。」
Heinicke的觀點是，採用多層單元架構（即通過改變電壓來誘導單個存儲單元存儲多個位）也加劇了這種情況。例如，對於四級單元(QLC)，每個單元存儲4位，這意味著必須區分16種狀態。
NAND快閃記憶體製造商選擇這條路徑是因為它提供了更高的存儲密度，這意味著更高的驅動器容量和更低的每 GB成本。但它也對細胞的耐力或壽命有影響。換句話說，單元用於存儲的位數越多，磨損得越快。
「成功提高存儲密度的缺點是：可寫性（耐用性）和存儲容量（保留性）下降，」他寫道。「這意味著最大可能的寫入-讀取周期數會減少，並且由於保存這些電荷的絕緣層老化而無法再讀取以位形式讀取的電荷差異的風險增加。」
示意圖
根據Blocks& Files的數據，單級單元支持大約100,000個周期，而（2位）MLC單元在大約10,000個周期後就會磨損，三級單元限制為3,000個周期，QLC支持大約1,200個周期。即將推出的五級單元（每個單元5位）的周期可能少於600個。
「即使使用高質量的存儲晶片，製造商也必須在控制器中的糾錯機制上付出巨大的努力。包含退役晶片的 USB記憶棒發生數據丟失並不奇怪，」Heinicke表示。
他為 Flash用戶發布了一些提示。如果您經常在 USB記憶棒上寫入和刪除數據，例如將其用作備份設備，則應輪流使用多個記憶棒。
如果要使用快閃記憶體介質長期存儲任何內容，請使用高質量的存儲硬體，並將其保存在陰涼的地方，因為高溫可能會加速數據丟失。
快閃記憶體存儲應每年或半年訪問一次，因為這允許糾錯機制在內部複製「褪色」數據，並且設備不應填滿容量-留下未分配的空間可以使內部數據維護和糾錯機制運行更長時間。
