據英國《自然·物理學》雜誌近日發表的一項研究，一個美國聯合研究團隊利用層狀二碲化鎢製成了二維（2D）金屬晶片，其厚度僅三個原子，其可代替矽晶片存儲數據，且比矽晶片更密集、更小、更快，也更節能，同時儲存速度提高了100倍之多。
科學家正在努力，希望開發出下一代數據存儲材料，以提高現有存儲速度
研究人員對二碲化鎢薄層結構施加微小電流，使其奇數層相對於偶數層發生穩定的偏移，並利用奇偶層的排列來存儲二進位數據。數據寫入後，他們再通過一種稱為貝利曲率的量子特性，在不干擾排列的情況下讀取數據。
與現有的基於矽的數據存儲系統相比，新系統具有巨大優勢——它可以將更多的數據填充到極小的物理空間中，並且非常節能。此外，其偏移發生得如此之快，以至於數據寫入速度可以比現有技術快100倍。
對超薄層進行非常小的調整，就會對它的功能特性產生很大的影響，而人們可以利用這一知識來設計新型節能設備，以實現可持續發展和更智慧的未來存儲方式。
