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摩爾定律再續!ASML基本設計完成1nm光刻機

摩爾定律是什麼?英特爾創始人之一戈登·摩爾根據經驗得出一條「定律」,即積體電路上可以容納的電晶體數目在大約每經過24個月便會增加一倍。換言之,處理器的性能每隔兩年翻一倍。從這條「定律」我們能夠一窺科技進步的速率,每一次工藝的升級都能為消費者帶來更好的體驗。

眼下我們能夠使用的電子設備,晶片製程從28nm、14nm到7nm、5nm各有不同。「雕刻」的精度不斷提高,更小的製程意味著可以在同樣大小的面積內容納下更多的電晶體,元器件的密度也會相應提高。例如我們常說的EUV「極紫外光刻」技術,使用它生產的5nm晶片——例如華為麒麟9000、蘋果M1以及三星Exynos1080,他們是目前消費級晶片領域的第一梯隊。但由於承載材料、生產工藝的限制,摩爾定律存在著物理上的「極限」,近年來摩爾定律的達成間隔一度延長也被視為達到極限的前兆。

要進行光刻,就需要有設備,荷蘭ASML是全球唯一的EUV光刻設備生產商。近日,ITF論壇在日本東京舉辦。論壇上,與ASML合作研發光刻機比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下製程的在微縮層面技術細節。根據論壇上透露的信息,ASML對於3nm、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub1nm工藝都做了清晰的路線規劃,這意味著未來1nm工藝的實際應用只是時間問題。

台積電和三星電子介紹,「當前7nm、5nm部分工藝已經推出了NA(Numerical Aperture)=0.33的EUV光刻設備,並通過降低波長來實現5nm工藝,但對於2nm以後的超精細工藝,需要實現更高的解析度和更高的光刻設備」。ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計,預計在2022年實現商業化,2024年到2025年大規模生產。摩爾定律終於續上了,1nm製程的晶片究竟會將功耗縮減到什麼程度、又能帶來多達幅度的性能提升呢?讓我們拭目以待。

責任編輯: 李華   來源:天極網 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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