摩爾定律是什麼？英特爾創始人之一戈登·摩爾根據經驗得出一條「定律」，即積體電路上可以容納的電晶體數目在大約每經過24個月便會增加一倍。換言之，處理器的性能每隔兩年翻一倍。從這條「定律」我們能夠一窺科技進步的速率，每一次工藝的升級都能為消費者帶來更好的體驗。
眼下我們能夠使用的電子設備，晶片製程從28nm、14nm到7nm、5nm各有不同。「雕刻」的精度不斷提高，更小的製程意味著可以在同樣大小的面積內容納下更多的電晶體，元器件的密度也會相應提高。例如我們常說的EUV「極紫外光刻」技術，使用它生產的5nm晶片——例如華為麒麟9000、蘋果M1以及三星Exynos1080，他們是目前消費級晶片領域的第一梯隊。但由於承載材料、生產工藝的限制，摩爾定律存在著物理上的「極限」，近年來摩爾定律的達成間隔一度延長也被視為達到極限的前兆。
要進行光刻，就需要有設備，荷蘭ASML是全球唯一的EUV光刻設備生產商。近日，ITF論壇在日本東京舉辦。論壇上，與ASML合作研發光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下製程的在微縮層面技術細節。根據論壇上透露的信息，ASML對於3nm、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub1nm工藝都做了清晰的路線規劃，這意味著未來1nm工藝的實際應用只是時間問題。
據台積電和三星電子介紹，「當前7nm、5nm部分工藝已經推出了NA(Numerical Aperture)=0.33的EUV光刻設備，並通過降低波長來實現5nm工藝，但對於2nm以後的超精細工藝，需要實現更高的解析度和更高的光刻設備」。ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計，預計在2022年實現商業化，2024年到2025年大規模生產。摩爾定律終於續上了，1nm製程的晶片究竟會將功耗縮減到什麼程度、又能帶來多達幅度的性能提升呢？讓我們拭目以待。
