阿波羅網王篤若報導/中國華為Mate 80 Pro Max搭載的麒麟9030 Pro晶片，採用中芯國際N+3製程，這是早期N+2（7奈米）製程的升級版，也是目前中國最先進的國產半導體製造技術。半導體研究機構《SemiAnalysis》15日發布拆解報告指出，中芯國際N+3製程在電晶體密度上已達到台積電N6（6奈米，屬於7奈米家族強化版）等級，但製程成熟度、良率與成本仍明顯落後，中國與台積電、英特爾、三星之間的差距並未縮小。
報告顯示，中芯國際為了達到N6等級密度，必須採用更複雜的DUV多重曝光技術，導致製造成本大幅增加。中媒形容，中芯國際是在印製相同面額的鈔票，但每張成本卻是台積電的數倍，而且良率更低。
拆解發現，麒麟9030 Pro性能大致相當於3年前的安卓旗艦晶片，與蘋果、高通、聯發科及三星當前旗艦晶片相比仍有明顯差距，能效落後幅度更大。
報告指出，美國聯合盟友實施出口管制後，雖未阻止華為與中芯國際生產先進晶片，卻迫使其繞道發展。由於無法取得EUV設備，中芯國際只能依賴DUV多重曝光、DTCO（設計製程協同優化）及更複雜的整合技術推進位程。
儘管中芯國際持續透過更嚴格設計規則及背面功耗技術路線推動發展，華為也發展出「韜定律」和Logic Folding等方案，但每向前推進一步，都會增加成本與製程風險。
《SemiAnalysis》認為，中芯國際尚未超越台積電、英特爾或三星。雖然憑藉激進的DUV微縮技術與DTCO實現了接近台積電N6等級的密度，但受限於兩大因素：一是與全球領先製程的代溝，二是華為晶片核心設計本身，因此密度優勢並未轉化為相應的性能與效率。
報告強調，拆解結果顯示，中國半導體產業並未縮小與台積電、英特爾及三星的差距，反而暴露出更多限制，包括無法使用EUV、缺乏背面功耗控制、製程複雜度更高，以及多項技術取捨。
不過報告也指出，中國半導體技術仍在持續推進。若國產晶片性能足以滿足智慧型手機、AI推理、網絡設備及安全敏感型應用需求，即使無法在技術領先層面與台積電競爭，仍可能在戰略層面發揮重要作用。
研調揭露中國半導體技術現況及困境。示意圖。（路透）
