根據美國財經媒體CNBC記者阿君．卡帕爾（Arjun Kharpal）7月28日報導，《The Information》引述知情人士指出，一家未具名中共國企業已開始研發浸潤式深紫外光（DUV）曝光設備，並計劃於今年交付中共國晶圓代工廠中芯國際（SMIC）及記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）進行測試。
消息曝光後，引發全球半導體市場關注，荷蘭光刻機龍頭艾司摩爾（ASML）股價亦一度受到市場情緒影響而波動。
法國金融機構 ODDO BHF股票研究主管史蒂芬．烏里（Stephane Houri）表示，市場對中共國光刻設備突破的消息應保持「半信半疑」（take it with a pinch of salt）的態度。
他指出，即使中共國能自主製造部分浸潤式 DUV光刻設備，仍須克服高功率光源、超精密鏡片、關鍵材料、控制軟體，以及設備長時間穩定運作與量產良率等核心挑戰。
目前，中共國半導體設備的整體能力仍以成熟製程為主，與支撐5奈米以下先進位程所需的完整設備、生態系及製造能力相比，仍存在明顯技術落差。
值得注意的是，浸潤式 DUV光刻機雖可透過多重曝光（multiple patterning）生產部分先進位程晶片，但其製造成本、良率及生產效率均遠不及極紫外光（EUV）光刻技術，因此目前全球最先進的3奈米、2奈米晶片仍高度依賴EUV設備。
國產替代難突破 良率與量產能力成最大瓶頸
半導體製造的真正競爭力，並不只是能否打造出一台可以運作的設備，而在於能否達到商業化量產所要求的高良率、高穩定性與成本效益。
所謂良率，是指晶圓製造過程中，符合規格並可進入後續封裝階段的有效晶片比例。
即使中共國成功開發自主 DUV曝光設備，若無法在長時間、大規模生產環境下維持奈米級精度與穩定運行，其產業價值仍將受到限制。
Futurum Group分析師尼克．佩申斯（Nick Patience）接受 CNBC訪問時表示，中共國目前最重要的晶片製造企業中芯國際，雖已具備使用進口半導體設備進行先進位程生產的能力，但外界普遍認為，其製程成熟度與良率表現仍與全球領先晶圓廠存在差距。
他指出，半導體設備競爭並非單純的硬體製造，而是涵蓋控制軟體、材料配合、製程調校、客戶回饋及長期工程經驗的綜合能力。
他表示，荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）能維持全球光刻設備領導地位，不僅依靠先進硬體技術，更仰賴數十年與全球晶圓廠共同累積的製程經驗、軟體控制能力及供應鏈生態，而這些長期累積的產業優勢，正是中共國設備商難以快速追趕的關鍵。
在生產規模方面，中共國自主 DUV設備同樣面臨挑戰。
根據相關報導，目前中共國設備商規劃的產量仍處於初期階段，目標是在2026年生產約5台設備，並於2027年提升至約20台。
相比之下，全球光刻設備龍頭 ASML已建立成熟的供應鏈、維修體系與全球客戶網路，能持續支援各大晶圓廠的大規模生產需求。
半導體分析機構 SemiAnalysis指出，中共國光刻設備若要真正挑戰國際競爭者，不僅需要提升設備性能與可靠性，更必須建立完整的零組件供應鏈、製程支援能力以及晶圓廠使用生態。
面對已經歷數十年市場驗證並持續升級的 ASML系統，中共國「國產替代」目前仍面臨從技術原型、工程驗證到商業化量產之間的巨大鴻溝。
中共國光刻突破受限出口管制 改變競爭格局
投資市場先前擔憂，中共國自主半導體設備崛起可能削弱西方企業在全球晶片供應鏈中的地位。
然而，分析人士指出，這類擔憂可能高估了中共國光刻設備目前的市場影響力。
由於美國與荷蘭等國實施出口管制，荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）的部分先進浸潤式 DUV設備已無法出口至中共國。
因此，北京自主 DUV設備的主要目標，是填補國內晶圓廠因出口限制形成的設備缺口，而非立即挑戰 ASML在全球高階半導體設備市場的領先地位。
SemiAnalysis分析師指出，即使中共國設備商未來能在國內市場建立供應能力，其影響範圍仍將受到技術成熟度、產業驗證及國際市場接受度限制。
中共國半導體設備自主化正在加速，但從滿足國內需求到具備全球競爭力，仍存在明顯差距。
EUV技術壁壘難跨越 中共距先進位程仍遙遠
除了DUV之外，近年中共國方面也曾傳出投入極紫外光（EUV）曝光技術研發的消息，試圖展現半導體自主化能力。
然而，多位國際半導體分析人士指出，EUV並非DUV的簡單升級版本，而是涉及全新層級的光源、光學系統、材料科學及製程控制技術，技術難度遠高於傳統深紫外光（DUV）設備。
EUV光刻技術是目前生產7奈米以下先進位程的重要工具，尤其在5奈米、3奈米及下一代2奈米製程中扮演關鍵角色，也是全球半導體競爭中最具戰略價值的核心技術之一。
業界人士指出，荷蘭半導體設備巨頭ASML的EUV技術並非單一企業獨力完成，而是集合美國、日本與歐洲數十家企業及研究機構長期合作的成果。
ASML歷經超過20年研發，投入數十億美元資金，並與台積電、英特爾、三星等全球主要晶片製造商共同測試與優化，才逐步建立目前唯一具商業化量產能力的 EUV光刻系統。
DGA Albright Stonebridge Group合伙人保羅．特里奧洛（Paul Triolo）指出，DUV技術上的進展並不能直接轉化為 EUV突破，因為 EUV涉及高能量光源、超精密反射鏡、真空環境，以及高度複雜的控制系統等多項尖端技術。
ODDO BHF股票研究主管史蒂芬．烏里（Stephane Houri）則表示EUV對中國而言目前仍屬於「遙不可及」（out of reach）的技術領域。
他指出，科技發展很少能被定義為「永遠不可能」，但EUV確實代表完全不同層級的工程挑戰。
分析人士認為，中共半導體產業即使能在部分成熟製程與設備自主化方面取得進展，距離掌握全球最先進晶片製造所需的EUV技術、核心設備與完整產業生態，仍存在長期且巨大的差距。△
