周日（9月13日），韓國將正式擴大間諜罪適用範圍，把過去主要針對朝鮮的法律，延伸至其它外國或同等組織。修法正值中企快速追趕韓國半導體產業，多宗涉及中國的技術外泄案也接連曝光，首爾正把核心技術保護提升至國家安全層級。
據彭博社報導，韓國警方去年偵破的敏感技術外泄案件中，約一半涉及中國。三星電子、SK海力士等韓國晶片巨頭，也面臨長鑫存儲（CXMT）、長江存儲（YMTC）等中國企業的快速追趕。
上個月，韓國產業通商資源部部長金正官（Kim Jung-kwan）談到中國在半導體領域的投資時表示：「中國的速度超乎想像。這就是為什麼我感到極其強烈的緊迫感。」
73年來首次擴大間諜罪範圍
韓國國會今年2月26日通過《刑法》相關修正案，9月13日起生效。這是相關條文自1953年制定以來，73年來首次大幅擴大適用範圍。
過去，韓國間諜罪主要針對替「敵國」從事間諜活動，而法院實務上把「敵國」理解為朝鮮。這意味著，即使有人把半導體等敏感技術交給中企或其它外國實體，檢方往往也只能援引產業技術保護等其它法律處理。
修法後，為「外國或同等組織」刺探、搜集、泄露、交付或居間轉交國家機密，都可能納入間諜罪範圍。不過，新罪名仍要求相關行為涉及外國實體的「指示或唆使」，以區分間諜活動與一般商業技術移轉。
近年來，韓國接連發生產業技術外泄案件。
據韓國經濟研究院與產業通商資源部數據，2020年至2025年上半年，共發生110宗產業技術海外外泄案件，其中33宗涉及「國家核心技術」，估計造成23.27萬億韓元損失。
三星技術外泄案凸顯技術外流風險
半導體是韓國最關切的領域之一。去年12月，韓國檢方起訴10人，指控他們涉嫌把三星電子的DRAM製造技術泄露給中國長鑫存儲。
據路透社報導，一名前三星研究員在準備離職加入長鑫存儲時，以手寫方式抄錄數百項DRAM製造流程，包括設備規格、製程順序及良率最佳化等詳細內容。檢方稱，這些筆記其後被用來打造長鑫存儲的相關製程。
檢方還稱，長鑫存儲透過供應商取得SK海力士的其它DRAM技術，進一步加快研發。
三星、SK海力士與長鑫存儲均拒絕就案件置評。
檢方表示，三星曾投入1.6萬億韓元開發相關DRAM製程，但長鑫存儲在調整並驗證遭泄露的資料後，於2023年實現10奈米級DRAM生產。檢方認為，這也為長鑫存儲進一步開發高頻寬記憶體（HBM）奠定基礎。HBM目前是人工智慧運算的重要零組件。
彭博社引述Counterpoint Research數據稱，長鑫存儲2026年第二季在全球DRAM市場的占有率已達10%，三星與SK海力士分別約為38%及25%。
新法仍面臨執行問題
修法雖堵住部分法律漏洞，但韓國國防產業也關注新法的適用邊界。
業界人士指出，「國家機密」、「同等組織」等概念仍需進一步釐清，以免正常出口、聯合開發或技術支援陷入法律爭議。
全北大學國防產業副教授張元俊（Jang Won-joon，音譯）表示：「企業不應因為已簽訂出口合約，就認為所有技術資料都可以提供。」他認為，相關風險仍須依不同技術，透過政府批准及企業內部管控處理。
隨著新法正式生效，韓國將取得更廣泛的法律工具，處理向外國泄露國家機密的案件；但如何界定國家機密，以及證明相關行為受到外國實體「指示或唆使」，仍將成為實際執法的重要考驗。
