俄羅斯的雙座全天候攻擊直升機Ka-52「鱷魚」，烏克蘭專家打開了其炮塔式光電系統，發現了22個美國製造的晶片和一個韓國製造的晶片。
一位烏克蘭高級官員說，「這很簡單，如果沒有這些美國晶片，俄羅斯的飛彈和大多數俄羅斯的武器將無法運作。」
烏克蘭專家稱，這些晶片不一定直接來自製造商，因為中國出現了一個大規模的、不受管制的回收晶片市場，這可能是這些晶片的更大來源，因為其中許多晶片似乎相當舊。
最新的調查結果暴露了俄羅斯戰爭機器在關鍵敏感領域對西方技術的嚴重依賴，如武器的瞄準、導航、通信和控制系統，從而引發了對莫斯科生產技術部件能力的質疑。
中共高度依賴美國主導的晶片技術產業鏈
2021年，中國國內晶片只有不到7%是由中國晶片廠家生產出來的，且是低端成熟製程。
美國智庫傳統基金會研究員蔣敏華（Min-Hua Chiang）發文說，拜登政府把美中競爭說成是技術競爭是錯誤的。因為在大多數領域，兩國之間不存在技術競爭，只有中國（中共）對美國的依賴。
根據世界貿易組織的統計數據，中國在積體電路和電子元件方面的貿易逆差（包括香港的貿易逆差）十年內幾乎翻了一番，從2010年的相當於1,350億美元增加到2020年的2,400億美元。
在過去十年中，中國成為美國智慧財產權亞太地區的最大買家。根據美國工業和安全局的數據，來自中國、購買「有形物品、軟體和技術」許可申請數量從2020年的3,747個，增加到2021年的5,923個，支付金額從1,060億美元增加到5,450億美元。由於美國的出口限制，2021年的平均處理時間，比2020年長19天。
圖為2021年3月17日，江蘇省南通市一家晶片廠。(STR/AFP)
中國的晶片逆差增長揭示了一個關鍵事實：中共實現技術自立仍然是一個遙遠的夢。為了保持出口增長，中國別無他法，只能不斷進口先進的晶片，組裝成高科技含量的消費品（如智慧型手機、平板電腦等）。
成立於2014年的中國積體電路產業投資基金，投資數千億美元發展半導體產業，不但尚未能減少對外國先進晶片的依賴，相反依賴性一直在增加。
蔣敏華分析說，顯然錢不是唯一的手段，中國（中共）保護智慧財產權的薄弱監管環境和專制的治理方式，阻礙了中國私營部門的創新。
目前，中國在技術上落後於美國半導體產業兩代以上，幾乎不可能超越美國，除非它能夠獲得外國技術並且知道如何做到這一點，中共晶片獨立自主可能還要等上幾十年。
中共軍隊的大量武器開發，都嚴重依賴美國晶片或晶片設計軟體，僅舉兩例。
比如，位於中國西南部的中國空氣動力學研究與發展中心（CARDC）正在測試的高超音速飛彈，這種飛彈能夠以超過五倍音速推進，有可能避開防禦系統，有朝一日這些飛彈可能會瞄準美國航母或台灣。
CARDC使用了一台超級計算機，模擬高超音速飛彈在大氣層中飛馳的熱量和阻力。
科羅拉多大學國家安全倡議中心主任伊恩‧博伊德對《華盛頓郵報》表示，需要分析數百至數千種不同的熱量、飛行器升力和大氣阻力的配置，才能使高超音速飛彈發揮作用，僅通過物理測試，成本太高，也太耗時。如果沒有超級計算機，可能需要十年的時間。
7月16日，美國陸軍第1防空炮兵團第1營在澳大利亞昆士蘭2021年護身符軍刀演習期間，發射MIM-104愛國者飛彈摧毀了無人機目標。（美國陸軍）
CARDC使用的這台超級計算機，使用了美國的精密機械，晶片由中國飛騰科技（Phytium Technology）使用美國的EDA軟體設計工具，交付台積電生產。
上海的一名顧問斯圖爾特‧蘭德爾（Stewart Randall）說，「我在中國的十年中，沒有遇到過不使用晶片設計公司（美國）Synopsys或Cadence產品的。」
這提供了一個最好的例子，中國（中共）如何在美國技術的幫助下，將民用技術用於戰略軍事目的。雖然CARDC和其它中共軍方實體受到美國的出口管制，但中國（中共）軍方仍然能夠通過飛騰這樣的公司獲得美國半導體技術。
像愛國者3飛彈這樣的先進武器，使用的是用一種鮮為人知但日益重要的材料，即氮化鎵製造晶片，中共希望獲得製造氮化鎵晶片的技術。
《紐約時報》2016年報導，中國投資者準備以高達29億美元收購荷蘭飛利浦電子公司的一個部門，被美國官員阻止。
戰略與國際研究中心（CSIS）高級研究員詹姆斯‧劉易斯（James Lewis）說，美國外資投資委員會（CFIUS）對飛利浦交易關注的中心，是一種鮮為人知但日益重要的先進半導體材料，即氮化鎵（GaN）。
幾十年來，氮化鎵一直被用於低能量光源、藍光光碟播放器這樣平凡的技術中。但是它的抗熱性和抗輻射性，使它在軍事和空間方面有很多應用。氮化鎵可以製造出性能更好的晶片，是升級愛國者雷達系統的關鍵，被稱為「太空籬笆」。
美限制中共晶片能力打擊中共軍事能力
中共環台軍演後，美國政府立即公布了三項限制，一是若獲得美國政府補助，未來10年將不能擴大在中國的先進晶片生產；二是禁止向中國出售能夠製造14奈米以下晶片生產工具；三是對符合「新興和基礎技術」標準的四項技術建立新的出口管制：氧化鎵和金剛石、電子電腦輔助設計（ECAD）、壓力增益燃燒（PGC）。
這三個措施，限制了中共本土生產、設計先進晶片的能力，減緩中共晶片產業的發展，擴大美中晶片技術的差距，從源頭上阻擊中共軍事技術的進步。可以預見，如果中共繼續在國際上咄咄逼人、逼迫利誘他國，美中的晶片脫鉤和科技脫鉤還會進一步加速。
蔣敏華分析說，「中國（中共）領導層花了10年時間了解到，其夢想基本上是建立在國外的技術投入上。當外國技術的進口被終止時，內部的缺陷就像多米諾骨牌效應一樣暴露出來。因此，夢想變成了一場噩夢，美國的出口限制只是加速了中（共）國內部弱點的暴露。」
