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成本逼近30億元!今年第一台高NA EUV光刻機發貨

EUV光刻技術的推進相當困難,光刻機龍頭ASML也是舉步維艱,一點點改進。

快科技9月7日消息,ASML宣布,將在今年底發貨第一台支持高NA(數值孔徑)的EUV極紫外光刻機,型號「Twinscan EXE:5000」。

NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標,直接決定了光刻的實際解析度,以及最高能達到的工藝節點。

ASML現有最先進的EUV光刻機是NEX:3400C、NEX:3400D,NA只有0.33,對應的解析度為13nm,可以生產金屬間距在38-33nm之間的晶片。

但是,金屬間距縮小到30nm以下之後,也就是對應的工藝節點超越5nm,這樣的解析度就不夠了,只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助,不但會大大增加成本,還會降低良品率。

因此,更高的NA成為必需,新一代EXE:5000就能做到0.55 NA,光刻解析度也將縮小到8nm。

EXE:5000有點像是實驗平台,供晶片製造廠學習如何使用高NA EUV技術,而預計2025年發貨的下一代EXE:5200,才能支持大規模量產。

Intel最初計劃在其18A(1.8nm)工藝節點使用ASML的高NA EUV光刻機,2025年量產,但後來提前到了2024年下半年,等不及ASML的新機器。

於是,Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E,疊加雙重曝光來實現18A工藝,同時使用應用材料的Endura Sculpta的曝光成形系統來儘可能減少雙重曝光的使用。

儘管如此,Intel依然會是高NA EUV光刻機的第一家客戶,可能會在18A節點的後期引入它。

台積電、三星都計劃在2025年晚些時候投產2nm工藝,或許也會用上高NA EUV光刻機。

至於這種先進光刻機的價格,沒有官方數據,不同報告估計在單台成本就要3-4億美元,相當於人民幣22-29億元。

責任編輯: 方尋  來源:快科技 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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