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晶片禁令奏效?英特爾執行長稱中國半導體「落後十年」 未來只會更艱困

英特爾(Intel)執行長季辛格(Pat Gelsinger)認為,美國、日本、荷蘭對中國半導體業的制裁限制了其 7 奈米以上製程技術的發展。他直指,儘管中國將繼續發展其半導體實力,並或將於國內設計更先進的晶片製造工具,但它在該領域仍落後全球約十年,而且這種情況將維持下去。

英特爾執行長季辛格(Pat Gelsinger)認為,國際對中國半導體業的制裁限制了其7奈米以上製程的發展,迫使其在該領域的技術落後全球約十年。圖:取自「X」@RamblingAK

英特爾(Intel)執行長季辛格(Pat Gelsinger)認為,美國、日本、荷蘭對中國半導體業的制裁限制了其7奈米以上製程技術的發展。他直指,儘管中國將繼續發展其半導體實力,並或將於國內設計更先進的晶片製造工具,但它在該領域仍落後全球約十年,而且這種情況將維持下去。

資訊科技媒體「Tom's Hardware」報導,季辛格於瑞士城鎮達佛斯(Davos)舉行的世界經濟論壇(WEF)作出上述發言。他表示,近期包括荷蘭、美國及日本實施的出口政策,某種程度上為中國半導體業在10到7奈米範圍內設定了底線。然而「我們正在競相向2奈米以下,甚至是1.5奈米邁進,你知道我們看不到盡頭。」

據報導,目前中國代工廠中芯國際(SMIC)擁有7奈米製程技術,可用於製造智慧型手機應用處理器,較台積電和三星落後約5年半。同時,上海華力微電子公司(HLMC)傳已於2020年開始試產14奈米「鰭式場效電晶體」(FinFET)製程的晶片,這意味著它仍落後台積電9到10年。

但是,中芯國際和華力微電子都使用荷蘭、日本、韓國、台灣和美國生產的工具,以及日本的純原料。如果無法獲得這些資源,中國將不得不開發自己的晶圓廠設備和純化氣體(purify gases)、抗蝕劑和其他化學品的方法,以實現尖端晶片的生產。

現代半導體製程技術需要全球整個產業的共同努力、大量的基礎研究以及數千億美元的研發投入,中國是否能夠獨自應對這一切還有待商榷。同時,如果中國完全與先進的晶片製造工具和技術隔絕,其半導體公司可能會嘗試逆向工程(Reverse Engineering,技術、產品仿造)複製他們可以掌握的設備,以縮小與全球晶片業的差距。這並不完全是一種可持續的方法,但他們可能別無選擇。

責任編輯: 李冬琪  來源:Newtalk新聞 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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