昨天，又一篇文章刷爆了半導體人的朋友圈。
據軍報記者成都報導，國家重大科研裝備研製項目「超分辨光刻裝備研製」29日通過驗收，這是我國成功研製出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22奈米，結合多重曝光技術後，可用於製造10奈米級別的晶片。詳情可看半導體行業觀察昨日的報導《國產超分辨光刻裝備通過驗收，可加工22奈米晶片》。
這則消息出來了以後，不但讓整個媒體界瘋狂，類似「中國光刻機終於突破了歐美限制」、「中國積體電路最關鍵領域終於突破」之類報導也頻頻見於各個微信圈和好友的朋友圈，也有不少的行內朋友問半導體行業觀察記者，這個產品是否是真的那麼厲害。
在經過和行業內專家進行了一番交談之後，本文將對這個報導和產品進行一個全面的解析。在開始之前，先糾正一下文章開頭出現的常識性描述：
行業內專家告訴記者，文章開頭談到的「光刻分辨力達到22奈米，結合多重曝光技術後，可用於製造10奈米級別的晶片」的說法是錯誤的。
他指出，如果真的能做22nm的線寬，不用多次成像了，單次曝光就可以做10nm了。因為就design rule而言，10nm的metal層最緊的也只有44nm pitch，22nm CD，一次成像就夠用了。就算是poly66nm pitch，單次成像也足夠了。況且10nm的Fin本來就要用SAQP也只需要單次曝光，現在可以回到14nm的SADP，Fin pitch一般是36nm和33nm，所以真能做的22nm線寬，44nm pitch，做啥layer都可以只用一次就夠了。
下面我們從技術面入手，解構這個產品和報導。
一、這是個什麼技術？
在文章中，作者已經提到，這個設備採用的是什麼技術。他在文章中寫到：「中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統路線格局，形成了一條全新的奈米光學光刻技術路線，具有完全自主智慧財產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義晶片等變革性領域的跨越式發展提供了製造工具」。
所謂表面等離子體超分辨光刻，也就是surface plasma，我們也把其稱之為表面等離子超衍射光刻，這是最近十幾年興起的新技術。據行業人士告訴半導體行業觀察記者，這種光刻的工作原理是入射光照射在透鏡表面的小探針上，從而激發產生plasma，產生波長非常短的等離子體，然後在光刻膠上刻出非常小的圖形。
SP光刻的原理圖（source：知乎作者霍華德）
傳統的光刻原理圖
關於這個技術，中科院王長濤、趙澤宇、高平、羅雲飛和羅先剛在其寫於2016年的一篇名為《表面等離子體超衍射光學光刻》的文章中提到：由於光波衍射特性,傳統光學光刻面臨分辨力衍射極限限制,成為傳統光學光刻技術發展的原理性障礙。表面等離子體（surface plasmon,SP）是束縛在金屬介質界面上的自由電子密度波,具有突破衍射極限傳輸、匯聚和成像的獨特性能。近年來,通過研究和利用SP超衍射光學特性,科研人員提出和建立了基於SP的奈米干涉光刻、成像光刻、直寫光刻等方法,在紫外光源和單次曝光條件下,獲得了突破衍射極限的光學光刻分辨力。目前,基於SP成像結構,實驗中獲得了22 nm（-1/17波長）最高SP成像光刻線寬分辨力水平。SP將為發展高分辨、低成本、高效、大面積奈米光學光刻技術提供重要方法和技術途徑。
但這真的是能應用到現在的產線上嗎？
二、真能應用到IC製造產線上嗎？
在某些媒體的報導中，這個裝備的出現，打破了國產光刻機的空白，可以打破XXX公司的壟斷，但很遺憾，這是一個誤解。行內人士告訴半導體行業觀察記者，這個技術和我們熟悉的半導體積體電路完全無關，無法應用在積體電路領域。
他指出，SP光刻的主要缺點就是聚焦的面積非常小，屬於接觸式光刻，一點點的defect缺陷就會造成成像品質的問題，因為是直寫式光刻，所以生產效率很低，只能作為E beam光刻的競爭對手，適用於特殊應用，類似的應用範圍是光纖領域，5G天線，或者是他們自己演示的用於科研領域的單光子探測器。這對於實驗室科研，軍工，有一定的意義，可以一定程度上替代現在的e beam光刻。另一方面，這個技術也具有圖形粗糙度糟糕的特點，從他們演示的圖形就可以看到LWR粗糙，歪歪斜斜，圖像保真度非常低，只能作為技術驗證，不能作為真實生產，更不要說量產可能了。
超分辨光刻設備加工的4英寸光刻樣品
在交談的過程中，他多次強調了這個技術和我們熟悉的半導體積體電路完全無關，無法應用在積體電路領域這個技術對於積體電路的光刻需求的不適用。
國外使用SP光刻技術做的效果，明顯好於中科大
再者，這一技術並非中國首創，國外有很多實驗室也做出了成品驗證機，效果還優於中科院，甚至都達不到國際領先的程度。
三、媒體誤導還是有意為之？
這個新聞出來了以後，引發了媒體和群眾的廣泛討論，在水木社區我們也看到了一個轉載自知乎的、自稱光電所的人的回覆，回覆中說到：
我就是光電所的，我們這個設備實現了雷射束22奈米（國內肯定是領先的，當然國際上落後），可以做簡單的線，點，光柵部件，拿來做刻晶片這種超級複雜的ic製造是完全沒有可能的，那個難度是畫簡單線的十萬倍，因為還需要高精度鏡頭和高精度對準技術，我們這個設備立項本來就不是拿來刻晶片的，有人說我們騙，我們光電所什麼時候宣傳過這個設備可以刻晶片了？都是外界一些什麼都不懂的外行，包括媒體，一廂情願的以為這個就是晶片廠的光刻機，和我們沒有任何關係。飯要一口一口吃，我們已經是國內做得最好的了。
筆者在知乎上找不到相關回答，也沒求證過回答者的身份。但假設這個答主真的是光電所的人，這樣直接甩鍋給媒體的說法，筆者是有點不認同的。
在他們的報導原文裡，標題是《我國成功研製出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻裝備》，這真的是世界上「首台嗎」？至少我們從行內人士嘴裡聽到的答案，是否定的。當然我們也不敢保證我們是準確的，但從我的從業經驗看來，一個經過採訪，理應經過市場部審核的文章，應該儘量少出現「首次」這種詞，畢竟在我們媒體眼裡看到這個詞的時候，是另一個不同感受。
另一方面，據筆者了解，文章中的某位作者曾經是光刻行業的從業人員，對於文章中的出現的「筆誤」難道沒察覺到？
據行業人士告訴半導體行業觀察記者，現在實驗室中，經常用到ebeam光刻來做研究，如華為的5G開發，就需要用到ebeam光刻來做天線。但在最近一年多里，因為受到禁運的影響，已經一年多拿不到e beam光刻膠了，國內很多研究就不能進行下去了。而SP光刻的進步，也許就能取代ebeam的作用，畢竟這個技術對光刻膠要求沒那麼高。
但在筆者看來，希望以後國內的專家在源頭報導或者講述這些技術的時候，一定要向執筆者講述清楚這個技術的具體意義和差距，別用模稜兩可的詞語，讓媒體有機會誤解。
