三星晶圓廠將成為第一家在即將到來的3nm工藝中使用類似全柵場效應電晶體（GAAFET）結構的半導體製造商。雖然該節點尚未準備就緒，但在IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，三星晶圓廠的工程師分享了有關即將推出的3 nm GAE MBCFET（multi-bridge channel FET）製造技術的一些細節。
據介紹，有兩種類型的GAAFET：典型的GAAFET，這被稱為具有「薄」鰭的奈米線。以及MBCFET，稱為具有「厚」鰭的奈米片。在兩種情況下，柵極材料在所有側面上都圍繞溝道區。奈米線和奈米片的實際實現方式在很大程度上取決於設計，因此，一般而言，許多行業觀察家用術語GAAFET來描述兩者。但是以前它們被稱為環繞柵電晶體（surrounding-gate transistors ：SGT）。值得一提的是，MBCFET是 三星的 商標。
1988年，全球首次展示了GAAFET，因此該技術的關鍵優勢眾所周知。這種電晶體的結構使得設計人員可以通過調節電晶體通道的寬度（也稱為有效寬度或Weff）來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片（sheets）可以在更高的功率下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。為了對FinFET做類似的事情，工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下，電晶體溝道的「寬度」只能增加一倍或兩倍，這並不是很精確，有時效率很低。另外，由於不同的電晶體可以用於不同的目的，因此通過調整GAAFET可以提高電晶體的密度。
（圖片來源：三星）
（圖片來源：三星）
早在2019年，三星推出的3GAE工藝設計套件版本0.1就包括四種不同的奈米片寬度，以為早期採用者提供一定的靈活性，儘管目前尚不清楚該公司是否增加了寬度以提供額外的靈活性。但是三星表示，總的來說，與7LPP技術相比，其3GAE節點將使性能提高30％（在相同的功率和複雜度下），功耗降低50％（在相同的時鐘和複雜度下），並且電晶體密度提高了80％（包括邏輯和SRAM電晶體的混合）。
（圖片來源：三星）
三星的3GAE（其第一代MBCFET技術）將於2022年推出。雖然三星目前尚未披露其所有特性。但該公司在ISSCC上討論了如何使用新型電晶體來提高SRAM性能和可擴展性。
近年來，SRAM的可擴展性一直落後於邏輯的可擴展性。同時，現代片上系統將SRAM的負載用於各種快取記憶體，因此提高其可伸縮性是一項至關重要的任務。
（圖片來源：三星）
據《EE Times》亞洲報導，三星代工廠在ISSCC上介紹了其256Mb MBCFET SRAM晶片，該晶片的尺寸為56mm2 。這意味著儘管該公司尚未推出其首款3GAE邏輯晶片，但顯然該技術適用於SRAM。
SRAM是一個六電晶體存儲單元：兩個傳輸門（pass gates），兩個上拉和兩個下拉。在FinFET設計中，SRAM單元將使用具有相同溝道寬度的相同電晶體。藉助MBCFET，三星可以調整溝道寬度，因此提出了兩種方案：在一種情況下，三星將溝道更寬的電晶體用於傳輸門和下拉電路，而在另一種情況下，三星將使用具有較寬溝道的電晶體用於傳輸門和電晶體。
至於較窄的下拉通道。三星通過IEEE Spectrum稱，通過將具有更寬溝道的電晶體用於傳輸門，並將具有較窄通道的電晶體用於上拉，與常規的SRAM單元相比，三星設法將寫入電壓降低了230 mV 。
