三星、台積電已經先後宣布量產3nm工藝，台積電還特意舉辦了盛大的典禮。
台積電的命名為N3，號稱5nm之後的一個全新工藝節點，可將密度增加70％，同等功耗下性能提升10-15％，同等性能下功耗降低25-30％。
三星的命名為3GAE，首次引入GAA全環繞柵極電晶體技術(初期版本)。
據半導體專業人士分析，台積電N3工藝目前的良品率低則60-70％，高則70-80％，與5nm工藝初期的水平類似。
對於剛投入量產的先進工藝來說，這已經是非常不錯的良率水平，具備了大規模量產、供貨的條件。
台積電還在開發N3E、N3P、N3S、N3X等不同版本，這也奠定了很好的基礎。
相比之下，三星3GAE的初期良率要低得多，估計在10-20％左右，而且一直沒有明顯改善，晶片質量也參差不齊。
當然，以上數字都是業界估測，台積電、三星都不可能公布具體數字，只能走著瞧了。
不過，三星工藝拉胯也不是一次兩次了。
