韓國記憶體產業正面臨來自中共的嚴峻挑戰。韓媒《Hankyung》報導，中共記憶體企業通過挖角韓國人才與竊取技術，技術水平突飛猛進，威脅韓國半導體產業龍頭地位。中共企業不僅從三星電子和SK海力士挖走大量專業人才，還涉嫌竊取高頻寬記憶體（HBM）等尖端技術，甚至繞過美國制裁，以高出市場價1.7至2倍的價格從韓國瘋狂採購設備，引發韓國業界震動。
根據市場研究機構TrendForce數據，2025年第一季度，中共長江存儲在全球NAND快閃記憶體市場市占率達8.1%，位列第六，首次獲得官方確認。排名前五的分別為三星電子（31.9%）、SK海力士（16.6%）、美光（15.4%）、鎧俠（14.6%）和SanDisk（12.9%）。業內人士預測，若按此速度發展，長江存儲將在未來一兩年內追平SK海力士和美光，躋身全球頂尖行列。在DRAM領域，中共長鑫存儲市占率已達4.1%，位列第四，前三名為SK海力士（36%）、三星電子（33.7%）和美光（24.3%），打破了DRAM市場長期以來的三強鼎立局面。
韓半導體業界對TrendForce的報告深感震驚。專家警告，中共「紅色記憶體」入侵才剛剛開始，憑藉龐大的國內市場需求和快速提升的技術實力，中共記憶體企業正迅速崛起。長江存儲已開發出約300層的NAND產品，與三星技術水平相當；長鑫存儲則在研發第四代高頻寬記憶體（HBM3）。市場預計，2025年下半年，長江存儲有望躋身全球NAND市場前三，長鑫存儲也將與三星、SK海力士和美光並列全球四大DRAM廠商。首爾國立大學教授黃哲成（音譯）警告，10年內，全球DRAM領導地位可能從韓國轉移至中共。
為規避美國制裁，中共記憶體企業以高價從韓國採購設備。報導披露，中共企業以高出原價70%的價格下緊急訂單，囤積生產LPDDR5和HBM等先進產品所需設備。一家韓國半導體設備公司代表透露，中共企業正加大對HBM3等下一代半導體設備的需求。由於全球超90%的半導體設備市場由美國應用材料公司、科林研發及日本東京威力科創等掌控，韓國設備因受美國監管較少，成為中共通過第三國採購的替代方案。
中共記憶體企業技術進步的關鍵在於挖角與技術竊取。報導指出，中共企業頻頻從三星和SK海力士挖角高端人才，並涉嫌竊取HBM等尖端技術。此類事件不僅限於韓國，荷蘭國防部長Kajsa Ollongren近期向路透社表示，中共正加強對半導體技術的間諜活動，業界懷疑其試圖竊取ASML的EUV技術。
韓國半導體產業正面臨前所未有的危機。中共記憶體企業憑藉政策支持、資金優勢與不擇手段的技術獲取方式，正迅速縮小與韓企的技術差距。專家呼籲，韓國需採取緊急措施，保護核心技術與人才，以應對中共「紅色記憶體」的全面挑戰。
