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功耗降50%三星3nm晶片全球首秀

三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體製造公司之一,3nm節點是他們的一個殺手鐧,之前一直被良率不行等負面傳聞困擾,日前三星公司終於亮出首個3nm晶圓,按計劃將在今年Q2季度量產,比台積電還要早一些。

日前美國參觀了三星位於平澤市附近的晶片工廠,這裡是目前全球唯一一個可以量產3nm工藝的晶圓廠,三星首次公開了3nm工藝製造的12英寸晶圓,不過具體是哪款晶片還不得而知。

對三星來說,3nm節點是他們押注晶片工藝趕超台積電的關鍵,因為台積電的3nm工藝不會上下一代的GAA電晶體技術,三星的3nm節點就會啟用GAA技術,這是一種新型的環繞柵極電晶體,通過使用奈米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強電晶體性能,主要取代FinFET電晶體技術。

根據三星的說法,與7nm製造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。

根據三星之前的表態,3nm工藝將在2022年Q2季度量產,這個進度相比台積電的3nm工藝還要激進,後者今年下半年也只能小規模試產,明年才會大規模量產3nm工藝。

責任編輯: 劉詩雨  來源:ZOL 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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