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彎道翻車?台積電死對頭4奈米爆慘劇 曝失策內幕

韓國科技大廠三星電子(Samsung)4奈米晶圓代工良率不高,無法解決性能及過熱問題,其下一代Exynos處理器將改以5奈米製程生產,且改用於中階機種,而Galaxy S23新旗艦機則采高通委請台積電以4奈米晶圓代工的Snapdragon8 Gen2應用處理器。

三星4奈米良率低落,S23旗艦機改採其他款。(示意圖/達志影像/shutterstock)

韓國科技大廠三星電子(Samsung)4奈米晶圓代工良率不高,無法解決性能及過熱問題,其下一代Exynos處理器將改以5奈米製程生產,且改用於中階機種,而Galaxy S23新旗艦機則采高通委請台積電以4奈米晶圓代工的Snapdragon8 Gen2應用處理器。

韓媒The Elec報導,三星Exynos處理器採用4奈米和5奈米製程,但由於4奈米的良率非常低落,性能和過熱的問題仍然無法克服,因此三星計劃未來預計推出的Exynos2300將採用5奈米製程。

報導指出,高通Snapdragon8 Gen2應用處理器採用台積電4奈米製程,與5奈米的Exynos2300相比,整體性能更上一層樓。據消息人士透露,因此三星不得不選擇Snapdragon8 Gen2作為S23的處理器,而Exynos2300則用於中階機種。

另有消息人士指出,三星認為4奈米只是5奈米過渡3奈米的製程,投入的資源可能很少,但該人士補充,殊不知客戶對4奈米的需求卻高於預期。

三星晶片部門主管慶桂顯(Kyung Kye-hyun)曾於9月承認,在4奈米與5奈米進度和良率方面,都雙雙落後競爭對手台積電。

責任編輯: 方尋  來源:中時新聞網 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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