中共國正全力推動半導體自給自足，近期「中國自主研發EUV光刻機計劃」再次引發市場關注，被形容為中國版「曼哈頓計劃」。然而，多位專家指出，這類高調宣傳背後往往隱藏巨大技術落差與投資風險，甚至可能滋生資本泡沫與詐騙問題。
美國科技政策與出口管制專家認為，外界對中國EUV研發的期待明顯過高。即便在實驗室層面取得初步成果，距離具備量產穩定性的商業設備，仍存在數個世代的技術差距，短期內難以實現經濟回報。EUV光刻機是先進位程晶片不可或缺的核心設備，目前全球僅ASML具備量產能力，研發門檻極高，中國在設備整合、零組件與長期可靠性方面仍面臨嚴峻挑戰。
外媒披露，中共即使通過逆向工程製造出EUV原型機，但該機至今仍未量產任何晶片，技術遠未成熟。這也反映出在政策推動下的大規模投入，未必與實際技術能力相匹配。
類似問題在中國半導體產業並非首次出現。2000年代初的「漢芯1號」造假案中，陳進將國外晶片重新標記，偽裝成國產成果，騙取逾億元科研經費與多項補助，最終遭揭發，成為中國首宗重大晶片造假事件。
中國假芯事件不斷發生。（示意圖，路透資料照）
近年來，地方政府與產業基金推動的多個大型項目亦相繼失敗。武漢弘芯（HSMC）曾宣稱投資1280億元建設14與7奈米產線，最終因資金斷裂於2021年解散，未實現任何量產。類似的濟南泉芯項目同樣因技術與管理不足陷入停擺。這類項目往往通過高調宣傳、政府背書與高薪挖角吸引資金，卻缺乏真正的技術基礎，被外界批評為「吸金工程」。
與此同時，技術獲取風險也備受關注。韓國檢方近期起訴多名三星前高管與工程師，指控其將10奈米級DRAM核心技術非法泄露給中國企業；類似案件過去亦曾發生，凸顯在資金與人才流動加劇下，智慧財產權風險持續升高。
韓國檢方起訴包括三星電子前高管，與研發人員在內多名人士，指控他們非法泄露技術給中國長鑫存儲。（美聯社資料照）
綜合外媒分析，中國半導體產業雖雄心勃勃，但從EUV研發到多起失敗案例可見，高額投資與技術實力之間仍存在明顯落差。《南華早報》與《路透》均指出，若缺乏紮實技術積累與有效監管，相關投資恐持續面臨泡沫與風險。專家認為，唯有回歸技術本質、強化治理機制，才能真正提升國際競爭力。
